במקביל לחקר תכונות המוליכים למחצההיה גם שלמות הטכנולוגיה של ייצור התקנים המבוססים עליהם. בהדרגה הופיעו כל האלמנטים החדשים, עם מאפייני ביצועים טובים. הטרנזיסטור הראשון IGBT הופיע בשנת 1985 ושילב את המאפיינים הייחודיים של מבנים דו קוטביים ושדות. כפי שהתברר, אלה שני סוגים של התקני מוליכים למחצה הידועים באותה עת יכול גם "להסתדר" יחד. הם יצרו מבנה שהפך חדשני ובהדרגה זכה לפופולריות עצומה בקרב מפתחי המעגלים האלקטרוניים. הקיצור מאוד IGBT (שער מבודדים דו קוטבית טרנזיסטורים) מציין את היצירה של מעגל היברידי מבוסס על טרנזיסטורים דו קוטבית שדה אפקט. יחד עם זאת, היכולת לעבוד עם זרמים גדולים במעגלים כוח של אותו מבנה היה בשילוב עם התנגדות קלט גבוהה של אחרים.
הטרנזיסטור המודרני IGBT שונה מזו שלוקודמו. העובדה היא כי הטכנולוגיה של הייצור שלהם השתפרה בהדרגה. מאז הופעת האלמנט הראשון במבנה זה, הפרמטרים העיקריים שלו השתנו לטובה:
- החלפת הנוכחי עבור אלמנטים נפרדים גדלעד 600A בדידים ועד 1800A בעיצוב מודולרי. זה איפשר מעבר מעגלים גדולים הנוכחי באמצעות טרנזיסטור IGBT לעבוד עם מנועים, תנורי חימום, מתקנים תעשייתיים שונים, וכו '
- ירידה במתח ישיר במצב פתוח ירד ל 1V. זה מותר כדי להקטין את השטח של כיורים חום בו זמנית להפחית את הסיכון של כשל מהתמוטטות תרמית.
- תדר מיתוג במכשירים מודרנייםמגיע ל 75 הרץ, מה שמאפשר להשתמש בהם במעגלים מבוקרים חדשניים עבור הכונן החשמלי. בפרט, הם משמשים בהצלחה ממירים תדר. מכשירים אלה מצוידים בבקר אוטובוס, הפועל ב "צרור" עם המודול, המרכיב העיקרי בו הוא טרנזיסטור IGBT. ממירי תדר בהדרגה להחליף מעגלים מסורתיים כונן חשמלי.
המעגלים האלקטרוניים שופרו אף הם,אשר נשלט על הטרנזיסטור IGBT. הדרישות העיקריות שהוטלו עליהם - היא להבטיח מכשיר מיתוג בטוח ואמין. הם חייבים לקחת בחשבון את כל נקודות התורפה של הטרנזיסטור, בפרט, את "הפחד" של overstress וחשמל סטטי.
